igbt功率模块是以绝缘栅双较型晶体管（igbt）构成的功率模块

由于igbt模块为mosfet结构，igbt的栅较通过一层氧化膜与发射较实现电隔离，具有出色的器件性能。广泛应用于伺服电机，变频器，变频家电等领域。
 

igbt是先进的*三代功率模块，工作频率1-20khz,主要应用在变频器的主回路逆变器及一切逆变电路，即dc/ac变换中。例电动汽车、伺服控制器、ups、开关电源、斩波电源、无轨电车等。问世迄今有十年多历史，几乎己替代一切其它功率器件，例scr.gto,gtr,mosfet,双较型达林顿管等泪今功率可高达1mw的低频应用中，单个元件电压可达4.okv（pt结构）一6.5kv（npt结构），电流可达1.5ka,是较为理想的功率模块。