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苏州徳昇锘电子 质保体系，公司坚持自主创新，科学管理和持续改进，提供更好的产品和服务，满足并追赶顾客的要求和期望。整个生产过程严格实施IS09001质量管理体系控制。每道工序均经过严格检测，确保产品的质量和稳定性。
注意事项：
（1）在检查大功率GTO器件时，建议在R×1档外边串联一节1.5V电池E′，以提高测试电压和测试电流，使GTO可靠地导通。
（2）要准确测量GTO的关断增益βoff，必须有测试设备。但在业余条件下可用上述方法进行估测。由于测试条件不同，测量结果仅供参考，或作为相对比较的依据。

交流电源接通、断开产生的过电压
例如，交流开关的开闭、交流侧熔断器的熔断等引起的过电压，这些过电压由于变压器绕组的分布电容、漏抗造成的谐振回路、电容分压等使过电压数值为正常值的 2至10多倍。一般地，开闭速度越快过电压越高，在空载情况下断开回路将会有更高的过电压。
直流侧产生的过电压
如切断回路的电感较大或者切断时的电流值较大，都会产生比较大的过电压。这种情况常出现于切除负载、正在导通的晶闸管开路或是快速熔断器熔体烧断等原因引起电流突变等场合。

晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅；1957年美国通用电器公司开发出世界上晶闸管产品，并于1958年使其商业化；晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个较：阳极，阴极和门较；晶闸管工作条件为：加正向电压且门较有触发电流；其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。

晶闸管的工作条件：
1.晶闸管承受反向阳极电压时，不管门较承受何种电压，晶闸管都处于关断状态。
2.晶闸管承受正向阳极电压时，仅在门较承受正向电压的情况下晶闸管才导通。
3.晶闸管在导通情况下，只要有一定的正向阳极电压，不论门较电压如何，晶闸管保持导通，即晶闸管导通后，门较失去作用。
4.晶闸管在导通情况下，当主回路电压（或电流）减小到接近于零时，晶闸管关断。
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