苏州徳昇锘电子科技有限公司代理经营**公司生产的电力电子器件,主要括:
Infineon英飞凌、EUPEC欧派克、SANREX三社、IXYS艾赛斯、SEMIKRON西门康、FUJI富士、MISUBISHI三菱、新电元、东芝、IR、西门子、英达、三肯、三洋、APT、ST、美高森美、巴斯曼BUSSMANN、法国罗兰等。
注意事项:
(1)在检查大功率GTO器件时,建议在R×1档外边串联一节1.5V电池E′,以提高测试电压和测试电流,使GTO可靠地导通。
(2)要准确测量GTO的关断增益βoff,必须有测试设备。但在业余条件下可用上述方法进行估测。由于测试条件不同,测量结果仅供参考,或作为相对比较的依据。
晶闸管是四层三端器件,它有J1、J2、J3三个PN结图1,可以把它中间的NP分成两部分,构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管
当晶闸管承受正向阳极电压时,为使晶闸管导通,必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。因此,两个互相复合的晶体管电路,当有足够的门较电流Ig流入时,就会形成强烈的正反馈,造成两晶体管饱和导通,晶体管饱和导通。
晶闸管(Thyristor)是晶体闸流管的简称,又可称做可控硅整流器,以前被简称为可控硅;1957年美国通用电器公司开发出世界上晶闸管产品,并于1958年使其商业化;晶闸管是PNPN四层半导体结构,它有三个较:阳极,阴极和门较;晶闸管工作条件为:加正向电压且门较有触发电流;其派生器件有:快速晶闸管,双向晶闸管,逆导晶闸管,光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件,在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示(旧标准中用字母“SCR”表示)。晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。
换相冲击电压
包括换相过电压和换相振荡过电压。换相过电压是由于晶闸管的电流降为0时器件内部各结层存载流子复合所产生的,所以又叫载流子积蓄效应引起的过电压。换相过电压之后,出现换相振荡过电压,它是由于电感、电容形成共振产生的振荡电压,其值和换相结束后的反向电压有关。反向电压越高,换相振荡过电压也越大。
针对形成过电压的不同原因,可以采取不同的抑制方法,如减少过电压源,并使过电压幅值衰减;抑制过电压能量上升的速率,延缓已产生能量的消散速度,增加其消散的途径;采用电子线路进行保护等。常用的是在回路中接入吸收能量的元件,使能量得以消散,常称之为吸收回路或缓冲电路。
苏州徳昇锘电子科技有限公司是一家集分销、直销及为一体的电力电子半导体销售和电力电子行业解决方案的产业链供应商。销售国内外电力电子半导体器件、变频器、变频器配件、铝电解电容和功率模块,熔断器;主要经销德国Infineon英飞凌、EUPEC优派克、SIEMENS西门子、西门康Semikron,IXYS艾赛斯、IPM、PIM、可控硅、GTO、GTR达林顿、整流桥、二极管、场效应模块......欢迎大家前来咨询!
http://szdsndz.b2b168.com
欢迎来到苏州徳昇锘电子科技有限公司网站, 具体地址是江苏省苏州昆山市开发区朝阳东路55号中伟汽配物流市场6幢809室,联系人是王冠豪。
主要经营IGBT模块、IPM模块、PIM模块、二极管、三极管、可控硅、整流桥、IGBT单管、IGBT电路驱动板、GTR达林顿模块、快恢复二极管、肖特基二极管、熔断器、IC集成电路、快速熔断器。
单位注册资金未知。
我们公司主要供应可控硅,晶闸管,二极管等产品,我们的产品货真价实,性能可靠,欢迎电话咨询!