T2180N14TOF 苏州徳昇锘电子科技有限公司

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由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅较通过一层氧化膜与发射较实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅较击穿是IGBT失效的常见原因之一。

整流桥的作用与原理：
电源的整流桥部分采用了一体式的整流桥，整流桥的作用就是能够通过二极管的单向导通的特性将电平在零点上下浮动的交流电转换为单向的直流电，通常电源中采用的整流桥.还有单颗集成式的还有采用四颗二极管实现的。

整流桥的用途：
整流桥作为一种功率元器件，非常广泛。应用于各种电源设备。整流桥就是将整流管封在一个壳内。整流桥用在全波整流电路中，它又分为全桥与半桥。全桥是由4只整流二极管按桥式全波整流电路的形式连接并封装为一体构成的。

整流桥一般带有足够大的电感性负载， 因此整流桥不出现电流断续，一般整流桥应用时, 常在其负载端接有平波电抗器, 故可将其负载视为恒流源。 多组三相整流桥相互连接，使得整流桥电路产生的谐波相互抵消。
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