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晶闸管的工作条件:
1.晶闸管承受反向阳极电压时,不管门较承受何种电压,晶闸管都处于关断状态。
2.晶闸管承受正向阳极电压时,仅在门较承受正向电压的情况下晶闸管才导通。
3.晶闸管在导通情况下,只要有一定的正向阳极电压,不论门较电压如何,晶闸管保持导通,即晶闸管导通后,门较失去作用。
4.晶闸管在导通情况下,当主回路电压(或电流)减小到接近于零时,晶闸管关断。
过电流保护
由于半导体器件体积小、热容量小,特别像晶闸管这类高电压大电流的功率器件,结温必须受到严格的控制,否则将遭至彻底损坏。当晶闸管中流过大于额定值的电流时,热量来不及散发,使得结温迅速升高,终将导致结层被烧坏。
产生过电流的原因是多种多样的,例如,变流装置本身晶闸管损坏,触发电路发生故障,控制系统发生故障等,以及交流电源电压过高、过低或缺相,负载过载或短路,相邻设备故障影响等。
晶闸管过电流保护方法常用的是快速熔断器。由于普通熔断器的熔断特性动作太慢,在熔断器尚未熔断之前晶闸管已被烧坏;所以不能用来保护晶闸管。快速熔断器由银制熔丝埋于石英沙内,熔断时间较短,可以用来保护晶闸管。快速熔断器的性能主要有以下几项表征。
晶闸管T在工作过程中,它的阳极A和阴极K与电源和负载连接,组成晶闸管的主电路,晶闸管的门较G和阴极K与控制晶闸管的装置连接,组成晶闸管的控制电路。
晶闸管(Thyristor)是晶体闸流管的简称,又可称做可控硅整流器,以前被简称为可控硅;1957年美国通用电器公司开发出世界上晶闸管产品,并于1958年使其商业化;晶闸管是PNPN四层半导体结构,它有三个较:阳极,阴极和门较;晶闸管工作条件为:加正向电压且门较有触发电流;其派生器件有:快速晶闸管,双向晶闸管,逆导晶闸管,光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件,在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示(旧标准中用字母“SCR”表示)。晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。
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